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德国PDI固体电子学研究所Bernd Jenichen 教授访问苏州纳米所
2018-09-03| 文章来源:器件部 龙军华| 【华人博彩,现金下注,葡京游戏网,澳门奔驰开户

本文地址:http://www.roseyposeymb.com/xwdt/xwdt/201809/t20180905_5062977.html
文章摘要:德国PDI固体电子学研究所Bernd Jenichen 教授访问苏州纳米所,大型犬房室黄昏,烟卷一提昨儿。

  应中科院纳米器件与应用重点实验室邀请,德国PDI (Paul-Drude-Institut)研究所Bernd Jenichen 教授来纳米所访问交流。2018831日上午,Bernd Jenichen 教授在A718会议室做题为《Fe3Si/Ge/Fe3Si thin film multilayers on GaAs(001)》的特邀学术报告,报告由苏州纳米所边历峰研究员主持。Bernd Jenichen 教授就Fe3Si/Ge/Fe3Si薄膜的生长和表征做了精彩发言,生动形象的分析了其中的物理机理。Bernd Jenichen 教授领导的团队应用分子束外延在铁磁Fe3Si层之上获得完美的Ge膜,并且采用Ge的固相外延方法,实现了薄膜的高结晶度和优异的界面质量。他们发现当Fe3Si膜用作Ge的外延生长衬底时,Fe3Si结构对Ge膜的外延生长影响变得更强并且发生有序现象。这些有序现象是由外延生长引起的,到目前为止在散装材料中没有观察到。报告结束后,在场师生就报告内容进行提问,Bernd Jenichen 教授耐心的为大家答疑解惑,并且欢迎大家与他邮件沟通。 

报告会现场 

  Bernd Jenichen教授简历 

  Bernd Jenichen教授于1982年在柏林洪堡大学获得物理学博士学位。从1978年至1991年底,他担任柏林科学院“Zentralinstitut für Elektronenphysik”科学家。他是新型双晶X射线方法的发明者之一,补偿了加工样品中的应变[J. Phys. E21(1988)1062] 1992年以来,Bernd Jenichen教授是德国PDI固体电子学研究所的科学家,在那里他建立了新的X射线实验室。从1996年到2006年底,他参与了建立X射线摇摆器光束线U125/2 KMC,同时在柏林同步加速器设施BESSY II进行了相应MBE实验[Rev. Sci.Instrum.7420031267]。目前,他正在通过透射电子显微镜,高分辨率X射线衍射,反射率和掠入射衍射研究外延薄膜。 

 
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